รู้เบื้องต้นเกี่ยวกับทรานซิสเตอร์ MOSFET
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์โซลิดสเตต-ประเภทหนึ่งที่ประกอบเป็นส่วนประกอบพื้นฐานหลักของอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ อุปกรณ์ประเภทนี้สามารถใช้งานฟังก์ชันหลักได้หลายฟังก์ชัน รวมถึงการขยายสัญญาณไฟฟ้า การแก้ไข การควบคุมแรงดันไฟฟ้า การสลับการทำงานของสวิตช์ และการปรับสัญญาณ
การจำแนกประเภทของทรานซิสเตอร์ MOSFET
ขึ้นอยู่กับความแตกต่างในการออกแบบโครงสร้างและกระบวนการผลิต โดยทั่วไปแล้วทรานซิสเตอร์จะถูกจำแนกออกเป็นสองประเภทหลัก: ทรานซิสเตอร์สองขั้วทางแยก และทรานซิสเตอร์สนาม-เอฟเฟกต์ ซึ่งแตกต่างกันอย่างมากในกลไกการทำงานและสถานการณ์การใช้งาน BJT ใช้ทั้งอิเล็กตรอนและรูเป็นพาหะประจุสำหรับการนำไฟฟ้าในปัจจุบัน และสามารถแบ่งประเภทเพิ่มเติมเป็นอุปกรณ์ประเภท NPN- และ PNP- ตามการกำหนดค่าการเติมที่เกี่ยวข้อง
ด้วยอัตราขยายกระแสสูงและความเสถียรในการดำเนินงานที่ดี BJT จึงถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในการขยายสัญญาณ การควบคุมพลังงาน และสาขาอื่นๆ ที่เกี่ยวข้อง และเป็นส่วนประกอบหลักทั่วไปในวงจรแอนะล็อก ในทางตรงกันข้าม FET นำกระแสผ่านพาหะประจุเพียงประเภทเดียว ดังนั้นจึงจัดเป็นทรานซิสเตอร์แบบขั้วเดียว สามารถแบ่งเพิ่มเติมได้เป็น Junction Field-Effect Transistor (JFETs) และ-Gate Field-Effect Transistor (IGFETs) แบบหุ้มฉนวน โดยที่ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) ถูกใช้อย่างแพร่หลายมากที่สุด MOSFET มีข้อดีคือมีความต้านทานอินพุตสูง ใช้พลังงานต่ำ กระบวนการผลิตที่เรียบง่าย และเข้ากันได้ดีเยี่ยมกับการผลิตแบบครบวงจร-ขนาดใหญ่ คุณสมบัติเหล่านี้ทำให้เป็นส่วนประกอบหลักของวงจรรวมดิจิทัลสมัยใหม่ รวมถึงหน่วยประมวลผลกลาง (CPU) ของคอมพิวเตอร์และชิปหน่วยความจำ
ยกตัวอย่างทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ชนิด NPN- ที่นำมาใช้กันอย่างแพร่หลาย อุปกรณ์นี้ประกอบด้วยบริเวณเซมิคอนดักเตอร์แบบเรียงซ้อนสามส่วน ได้แก่ บริเวณตัวปล่อย พื้นที่ฐาน และบริเวณตัวรวบรวม แต่ละบริเวณจากทั้งสามส่วนเชื่อมต่อกับอิเล็กโทรดภายนอกที่สอดคล้องกัน ได้แก่ ตัวปล่อย ฐาน และตัวสะสม เมื่อสัญญาณกระแสอ่อนถูกฉีดเข้าไปในขั้วฐาน จะสามารถปรับแอมพลิจูดของกระแสขนาดใหญ่ที่ไหลผ่านตัวสะสมได้อย่างมีประสิทธิภาพ ด้วยเอฟเฟกต์การขยายปัจจุบันนี้ สัญญาณไฟฟ้าอ่อนสามารถขยายได้หลายสิบถึงแสนครั้งเพื่อให้ทราบถึงฟังก์ชันการขยายสัญญาณ ด้วยการปรับกระแสเบสเพื่อสลับระหว่างสถานะการตัด-และสถานะความอิ่มตัว ทรานซิสเตอร์สามารถใช้ฟังก์ชันการสลับแบบอิเล็กทรอนิกส์ได้ คุณลักษณะนี้ถือเป็นรากฐานของฮาร์ดแวร์สำหรับการรับรู้ตรรกะไบนารี 0/1 ในระบบวงจรดิจิทัล
ทรานซิสเตอร์ MOSFET เฉพาะรุ่น
The JFE2140 is a Burr-Brown™ matched-pair discrete JFET manufactured via a modern high-performance analog bipolar process, delivering performance that cannot be achieved by conventional discrete JFET technologies. The JFE2140 provides excellent noise performance across all current ranges, with a user-settable quiescent current ranging from 50 µA to 20 mA. At a bias current of 5 mA, the device achieves an input-referred noise of 0.9 nV/√Hz, delivering ultra-low noise performance together with extremely high input impedance (>1 TΩ) นอกจากนี้ JFET ยังจับคู่ได้ภายใน ±4 mV ซึ่งรับประกันแรงดันออฟเซ็ตต่ำและประสิทธิภาพ CMRR สูงในการกำหนดค่าคู่ดิฟเฟอเรนเชียล นอกจากนี้ JFE2140 ยังมาพร้อมกับไดโอดในตัวที่เชื่อมต่อกับโหนดแคลมป์อิสระ ซึ่งให้การป้องกันโดยไม่ต้องใช้ไดโอดภายนอก-กระแสไฟรั่วสูง{6}}
JFE2140 สามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้าเดรนสูงสุด-ถึง-แหล่งจ่าย 40 V เช่นเดียวกับเกต-ไปยัง-แหล่งกำเนิดและเกต-ถึง-แรงดันไฟฟ้าเดรนที่ต่ำถึง –40 V อุปกรณ์ได้รับการกำหนดให้ทำงานภายในช่วงอุณหภูมิ –40 องศาถึง +125 องศา
พารามิเตอร์ทรานซิสเตอร์ MOSFET
|
จำนวนช่อง |
2 |
|
Vn ที่ 1 kHz (nV√Hz) |
0.9 |
|
แรงดันพังทลาย (V) |
40 |
|
วีดีเอส (วี) |
40 |
|
วีจีเอส (วี) |
-40 |
|
เรตติ้ง |
แคตตาล็อก |
|
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน ( องศา ) |
-40 ถึง 125 |
ป้ายกำกับยอดนิยม: ทรานซิสเตอร์ mosfet ผู้ผลิตทรานซิสเตอร์ mosfet ซัพพลายเออร์จีน, แพ็คเกจไดโอด 3K TVS, MOSFET ชนิด N-channel 80V, ไดโอดซีเนอร์ 8 โวลต์, เทอร์มิสเตอร์ NTC, พาสซีฟและแยกส่วน
